La producció específica de cèl·lules solars inclou 10 passos com ara tallar, netejar, preparar la superfície texturada, difusió de fòsfor, eliminar la unió posterior PN més, fabricar elèctrodes superiors i inferiors, fabricació de pel·lícules antireflexos, sinterització i classificació de proves.
1. Tallar a rodanxes: utilitzeu el tall de diversos fils per tallar barres de silici en hòsties de silici quadrades.
2. Neteja: utilitzeu mètodes convencionals de neteja d'hòsties de silici per netejar i, a continuació, utilitzeu una solució àcida (o àlcali) per eliminar 30-50um de la capa danyada per tall a la superfície de l'hòstia de silici.
3. Preparació de superfícies texturades: gravat anisotròpic de plaques de silici amb solució alcalina per preparar superfícies texturades a la superfície de plaques de silici.
4. Difusió de fòsfor: utilitzeu una font de recobriment (o font líquida, o font de escates de nitrur de fòsfor sòlid) per a la difusió per formar PN més la unió, la profunditat de la unió generalment és de 0.3-0.5um.
5. Gravat perifèric: la capa de difusió formada a la superfície perifèrica de la hòstia de silici durant la difusió curtcircuitarà els elèctrodes superior i inferior de la bateria, i la capa de difusió perifèrica s'elimina emmascarant el gravat humit o el gravat en sec per plasma.
6. Traieu la unió posterior PN plus. La unió posterior PN més s'elimina normalment mitjançant un gravat humit o mòlta.
7. Feu els elèctrodes superior i inferior: utilitzeu evaporació al buit, niquelat sense electros o impressió i sinterització de pasta d'alumini. Feu primer l'elèctrode inferior i després feu l'elèctrode superior. La impressió de pasta d'alumini és un mètode de procés àmpliament utilitzat.
8. Fabricació de pel·lícula antireflex: per reduir la pèrdua de reflexió incident, s'ha de cobrir una capa de pel·lícula antireflex a la superfície de la hòstia de silici. Els materials per fer recobriments antireflexos inclouen MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, etc. El mètode del procés pot ser el mètode de recobriment al buit, el mètode de recobriment d'ions, el mètode de pulverització, el mètode d'impressió, el mètode PECVD o el mètode de polvorització, etc. .
9. Sinterització: el xip de la bateria està sinteritzat sobre una placa base de níquel o coure.
10. Classificació de la prova: segons l'especificació dels paràmetres especificats, classificació de la prova.
